8 тин: Термометр для испытания нефтепродуктов ТИН-8 купить в Москве недорого.

Термометр для испытания нефтепродуктов ТИН-10 исполнение 8

Описание товара

Стеклянный ртутный термометр ТИН-10 предназначен для измерения температуры при определении кинематической вязкости. Термометр «палочного» типа, изготовленный из массивной капиллярной трубки. Шкала нанесена непосредственно на трубку.

Термометр полного погружения. При измерении температуры погружается в измеряемую среду до отсчитываемой температурной отметки на шкале.

Технические характеристики










Производитель
ТЕРМОПРИБОР

Термометрическая жидкость
ртуть

Диапазон измерений термометра, С до
41,4

Диапазон измерений термометра, С от
38,6

Цена деления термометра
0,05

Назначение
Для измерения температуры при определении кинематической вязкости

Исполнение термометра
8

Тип термометра
ТИН-10

Термометры для испытания нефтепродуктов Категория

N11 Хронический тубулоинтерстициальный нефрит.

..

  • N11.0 Необструктивный хронический пиелонефрит, связанный с рефлюксом
  • N11.1 Хронический обструктивный пиелонефрит
  • N11.8 Другие хронические тубулоинтерстициальные нефриты
  • N11. 9 Хронический тубулоинтерстициальный нефрит неуточненный
  • Выбор препаратов
  • Синонимы
  • Нефрит тубулоинтерстициальный хронический
  • Пиелонефрит хронический
  • Хронический пиелонефрит
  • Хронический пиелит

Подобрать препарат можно с помощью фильтров. Чтобы увидеть в перечне лекарства, входящие в подгруппы, отметьте галочкой «включить препараты подгрупп». Нажав на иконку , можно добавить препарат в избранное и проверить на дубли и межлекарственные взаимодействия.

Полужирным начертанием выделены лекарства, входящие в справочники текущего года. Рядом с названием препарата может быть указан еженедельный уровень индекса информационного спроса (показатель, который отражает степень интереса потребителей к информации о лекарстве).

Сбросить фильтры

включить препараты подгрупп

Фармгруппа*
Все фармгруппы Аминогликозиды Антигипоксанты и антиоксиданты Диуретики Диуретики в комбинациях Другие иммуномодуляторы Пенициллины Пенициллины в комбинациях Тетрациклины Хинолоны/фторхинолоны Цефалоспорины

Действующее вещество*
Все ДВ Азоксимера бромид Амикацин Амоксициллин + Сульбактам Ампициллин Ампициллин + Оксациллин Ампициллин + Сульбактам Доксициклин Золототысячника трава + Любистока лекарственного корень + Розмарина обыкновенного листья Пефлоксацин Убидекаренон Цефотаксим Цефтазидим Цефтриаксон Цефуроксим Ципрофлоксацин

Лек. форма
Все лек. формы драже капли для приема внутрь концентрат для приготовления раствора для внутривенного введения концентрат для приготовления раствора для инфузий лиофилизат для приготовления раствора для внутривенного и внутримышечного введения лиофилизат для приготовления раствора для инъекций и местного применения порошок для приготовления раствора для внутривенного введения порошок для приготовления раствора для внутривенного и внутримышечного введения порошок для приготовления раствора для внутримышечного введения порошок для приготовления раствора для инъекций порошок для приготовления суспензии для приема внутрь раствор для внутривенного и внутримышечного введения раствор для инфузий раствор для инфузий раствор для инфузий и внутримышечного введения раствор для инъекций и местного применения раствор для приема внутрь суппозитории вагинальные и ректальные таблетки таблетки диспергируемые таблетки, покрытые оболочкой таблетки, покрытые пленочной оболочкой

Дозировка
Все дозировки 0. 25 г 0.5 г 0.75 г 1 г 1.5 г 100 мг 1000 мг 1000 мг+500 мг 12 мг 125 мг+125 мг/5 мл 133.4 мг+66.6 мг 1500 мг 2 г 2 мг/мл 250 мг 250 мг+250 мг 250 мг+250 мг/5 мл 250 мг/мл 3 мг 3 мг/мл 3% 335.5 мг+166.5 мг 4 мг/мл 400 мг 500 мг 500 мг+250 мг 500 мг+500 мг 6 мг 6 мг/мл 750 мг 80 мг/мл Без дозировки

Производитель
Все производители АБОЛмед Белмедпрепараты РУП Бионорика CE Бионорика АГ Биосинтез ПАО Биохимик АО Биохимик ОАО Биохимик ПАО Брынцалов-А ЗАО Брынцалов-А ПАО Вивелхове ГмбХ Внешторг Фарма Гротекс ООО Деко компания Джиангсу Учжун Фармасьютикал Групп Ко. Лтд. Сучжоу Фармацевтическая Фабрика №6 Джодас Экспоим Пвт. Драгенофарм Апотекер Пюшль ГмбХ и Ко.КГ Кадила Хэлскэр Лтд. Красфарма ОАО Красфарма ПАО Лабораториос Багу АО Лаборатория Атрал С.А. Лайка Лабс Лтд. Лек д.д. Люпин Лимитед МАКИЗ-ФАРМА ЗАО Медокеми (Фар Ист) Лтд Медокеми Лтд. Мосхимфармпрепараты им. Н.А. Семашко Нобел Алматинская Фармацевтическая фабрика АО Нобел Илач Санайи ве Тиджарет А.Ш. Нобелфарма Илач Санайи ве Тиджарет А. Ш. Озон ООО Петровакс Фарм НПО Пребенд ПФК ООО Протекх Биосистемс Р-Фарм ЗАО Роттендорф Фарма Рузфарма Северная Китайская Фармацевтическая Корпорация Синтез ОАО Табук Фармасьютикал Мфг. Ко. Усолье-Сибирский ХФЗ АО ФармВИЛАР НПО ФармКонцепт ООО Фармавизион Сан.Ве Тик. А.Ш. Фармасинтез АО Фармасинтез ОАО Шицячжуан Фармасьютикал Груп Оуи Ко. Эвалар Эй Си Эс Добфар Эс Си Сандоз С.Р.Л Юник Фармасьютикал Лабораториз

Наш сайт использует файлы cookie, чтобы улучшить работу сайта, повысить его эффективность и удобство. Продолжая использовать сайт rlsnet.ru, вы соглашаетесь с условиями использования файлов cookie.

Оксид индия и олова толщиной

нанометров для передовой высокопроизводительной электроники

  • Франклин, А. Д. Наноматериалы в транзисторах: от высокопроизводительных до тонкопленочных применений. Наука 349 , aab2750 (2015).

    Артикул

    Google ученый

  • «>

    Цао, В., Канг, Дж. Х., Саркар, Д., Лю, В. и Банерджи, К. Двумерные полупроводниковые полевые транзисторы — проекты и конструкция для СБИС с длиной волны менее 10 нм. IEEE Trans. Электронные устройства 62 , 3459–3469 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Desai, S.B. et al. MoS 2 транзистора с длиной затвора 1 нм. Наука 354 , 99–102 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Ву, Ю. и др. Высокочастотные масштабированные графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде. Природа 472 , 74–78 (2011).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Мыни К. Разработка гибких интегральных схем на основе тонкопленочных транзисторов. Нац. Электрон. 1 , 30–39 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • «>

    Улица, Р. А. Тонкопленочные транзисторы. Доп. Матер. 21 , 2007–2022 (2009).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Фортунато, Э., Баркинья, П. и Мартинс, Р. Оксидные полупроводниковые тонкопленочные транзисторы: обзор последних достижений. Доп. Матер. 24 , 2945–2986 (2012).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Shao, Y., Xiao, X., Wang, Y., Liu, Y. & Zhang, S.D. Анодированные ITO тонкопленочные транзисторы. Доп. Функц. Матер. 24 , 4170–4175 (2014).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Hamberg, I. & Granqvist, C.G. Пленки, легированные напылением In 2 O 3 : основные оптические свойства и применение в энергоэффективных окнах. Дж. Приложение. физ. 60 , Р123–Р160 (1986 г. ).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Kim, H. et al. Влияние толщины пленки на свойства тонких пленок оксида индия-олова. J. Appl. физ. 88 , 6021–6025 (2000 г.).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Kim, H. et al. Электрические, оптические и структурные свойства тонких пленок оксида индия-олова для органических светоизлучающих устройств. J. Appl. физ. 86 , 6451–6461 (1999).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Гранквист, К. Г. и Хултокер, А. Прозрачные и проводящие пленки ITO: новые разработки и применение. Тонкие твердые пленки 411 , 1–5 (2002).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Ву, С. Х. и др. Повышение производительности кристаллического материала In-Ga-Zn-O и транзистора с чрезвычайно низкой утечкой для приложения IoT с нормально выключенным ЦП. В цепях СБИС , Симпозиум 9, 2017 г.0005 T166–T167 (IEEE, 2017 г.).

  • Лю, Р. Дж., Ши, Б. С., Лин, Х. К., Ли, П. В. и Хуанг, Т. Ю. Уменьшение размера металлооксидных тонкопленочных транзисторов до менее 50 нм с помощью изысканного инженерного подхода к профилю пленки. IEEE Trans. Электронные устройства 64 , 1069–1075 (2017).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Мацуда, С. и др. Выровненные по оси с кристаллические транзисторы In-Ga-Zn-O с длиной канала 30 нм, низким током утечки в закрытом состоянии и крутыми подпороговыми характеристиками. В СБИС, Симпозиум T216–T217, 2015 г. (IEEE, 2015 г.).

  • Lin, H.C., Shie, B.S. & Huang, T.Y. 100-нм тонкопленочные транзисторы IGZO с конструкцией пленочного профиля. IEEE Trans. Электрон. Приборы 61 , 2224–2227 (2014).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • «>

    Лю, Р. Дж. и др. Разработка профиля пленки (FPE): новая концепция изготовления тонкопленочных транзисторов на основе оксида металла с коротким каналом. В Международная встреча IEEE по электронным устройствам (IEDM) 11.2.1–11.2.4 (IEEE, 2013).

  • Xiong, X. et al. Высокоэффективные электронные и фотонные устройства на основе черного фосфора с диэлектриком HfLaO. IEEE Электрон. Дев. лат. 39 , 127–130 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • Si, M.W., Yang, L.M., Du, Y.C. & Ye, P.D. Полевой транзистор на черном фосфоре с рекордным током стока более 1 А/мм. В 75-я ежегодная конференция по исследованию устройств 1–2 (IEEE, 2017 г.).

  • Ли, Т. и др. Сильное поле транспорта высокоэффективных транзисторов с черным фосфором. Заяв. физ. лат. 110 , 163507 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • «>

    Лю, Ю. и др. Расширение предела производительности транзисторов из дисульфида молибдена с размером менее 100 нм. Нано Летт. 16 , 6337–6342 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Нурбахш А. и др. Длина канала 15 нм MoS 2 Полевые транзисторы с одно- и двухзатворной структурой. В Схемах СБИС , Симпозиум T28–T29 2015 г., IEEE (2015 г.).

  • Chen, C.D. et al. Интеграция поликремниевых и тонкослойных транзисторов InGaZnO для инверторов CMOS. IEEE Trans. Электронные устройства 64 , 3668–3671 (2017).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Alshammari, F.H., Hota, M.K., Wang, Z., Al-jawhari, H. & Alshareef, H.N. Атомно-слоевое осаждение SnO 2 в качестве электрода затвора для прозрачной электроники, не содержащей индия. Доп. Электрон. Матер. 3 , 1700155 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • Ли, С. и Натан, А. Подпороговые тонкопленочные транзисторы с барьером Шоттки со сверхмалой мощностью и высоким собственным коэффициентом усиления. Наука 54 , 302–304 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • Ли, Ю. В., Рамирес, Дж. И., Сан, К. и Джексон, Т. Н. Низковольтные схемы на тонкопленочных транзисторах ZnO с двойным затвором. IEEE Электрон. Дев. лат. 34 , 891–893 (2013).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Yin, H. X. et al. Высокопроизводительный низковольтный инвертор улучшения/истощения TFT на аморфном оксиде за счет одно-/двухслойной гибридной интеграции каналов. В Международная встреча IEEE по электронным устройствам (IEDM) 1–4 (IEEE, 2009).

  • Huang, M. Q. et al. Многофункциональные высокоэффективные гетероструктуры Ван-дер-Ваальса. Нац. нанотехнологии. 12 , 1148–1154 (2017).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Дай З., Ван З., Хе Х., Чжан Х.-Х. & Alshareef, H.N. Химическое осаждение MoS 2 из паровой фазы на большой площади с прозрачными проводящими оксидными контактами для создания полностью прозрачной двумерной электроники. Доп. Функц. Матер. 27 , 1703119 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • Чжао, М. и др. Крупномасштабная химическая сборка атомарно тонких транзисторов и схем. Нац. нанотехнологии. 11 , 954–959 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Pu, J. et al. Очень гибкие и высокопроизводительные комплементарные инверторы из монослоев дихалькогенидов переходных металлов большой площади. Доп. Матер. 28 , 4111–4119 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Ю Л. и др. Высокопроизводительные WSe 2 комплементарные оксидно-металлические полупроводниковые технологии и интегральные схемы. Нано Летт. 15 , 4928–4934 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Wang, HC, Lin, CK, Chiu, HC & Hsuelr, KP Тонкопленочный транзистор на основе ZnO с высоким значением κ гадолиния и оксида празеодима в качестве диэлектрика затвора. В Международная конференция IEEE по электронным устройствам и твердотельным схемам 205–208 (IEEE, 2009).

  • Вс, Л.-Ю. и Хуанг, Дж. Демонстрация радиочастотного отклика аморфных тонкопленочных транзисторов IGZO на стеклянной подложке. Твердотельный электрон. 104 , 122–125 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • «>

    Мельман Ю., Афсар Ю., Верма Н., Вагнер С. и Штурм Дж. К. Самовыравнивающиеся тонкопленочные транзисторы ZnO с частотой 860 МГц f T и 2 ГГц f max для приложений с большой площадью. На 75-й ежегодной конференции по исследованию устройств 1–2 (IEEE, 2017).

  • Wang, Y.M. et al. Тонкопленочные транзисторы на основе аморфного InGaZnO, работающие на частотах выше 1 ГГц, достигнуты за счет оптимизации размеров канала и затвора. IEEE Trans. Электрон. Дев. 65 , 1377–1382 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Байрактароглу, Б., Лиди, К. и Нейдхард, Р. Микроволновые ZnO тонкопленочные транзисторы. IEEE Электрон. Дев. лат. 29 , 1024–1026 (2008).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Байрактароглу Б., Лиди К. и Нейдхард Р. Высокочастотные тонкопленочные транзисторы ZnO на кремниевых подложках. IEEE Электрон. Дев. лат. 30 , 946–948 (2009).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Байрактароглу Б. и Лиди К. Заказаны нанокристаллические пленки ZnO для быстродействующих и прозрачных тонкопленочных транзисторов. В 11-я конференция IEEE по нанотехнологиям 1450–1455 (IEEE, 2011).

  • Wang, H. et al. Чернофосфорные радиочастотные транзисторы. Нано Летт. 14 , 6424–6429 (2014).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Чоудхури, С. Ф., Йогиш, М. Н., Банерджи, С. К. и Акинванде, Д. Применение тонкопленочных транзисторов с черным фосфором и радиочастотных схем. IEEE Электрон. Дев. лат. 37 , 449–451 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • «>

    Санне, А. и др. Запись f T , f max и усиление в ГГц в двумерных CVD MoS 2 полевых транзисторах со встроенным затвором. В Circuits and Systems (ISCAS), 2017 IEEE International Symposium 1–4 (IEEE, 2017).

  • Санне, А. и др. Радиочастотные транзисторы и схемы на основе CVD MoS 2 . Нано Летт. 15 , 5039–5045 (2015).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Gao, Q. et al. Масштабируемая высокопроизводительная радиочастотная электроника на основе двухслойного MoS с большими доменами 2 . Нац. коммун. 9 , 4778 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 2003 г. Международная дорожная карта технологий для полупроводников. SIA https://www.semiconductors.org/resources/2003-international-technology-roadmap-for-semiconductors-itrs/ (2003).

  • Международная дорожная карта технологий для полупроводников на 2007 год. SIA https://www.semiconductors.org/resources/2007-international-technology-roadmap-for-semiconductors-itrs/ (2007).

  • Баррал, В. и др. Масштабируемость технологии Strained FDSOI CMOS до толщины пленки 2,5 нм и длины затвора 18 нм с TiN/HfO 2 9Стек ворот 0025. В IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 61–64 (IEEE, 2007).

  • Ян, Р. Х., Урмазд, А. и Ли, К. Ф. Масштабирование кремниевых полевых МОП-транзисторов: от объемного к КНИ и далее к объемному. IEEE Trans. Электрон. Приборы 39 , 1704–1710 (1992).

    Артикул
    КАС

    Google ученый

  • Auth, C.P. & Plummer, JD. Теория масштабирования для цилиндрических, полностью обедненных полевых МОП-транзисторов с окружающим затвором. IEEE Электрон. Дев. лат. 18 , 74–76 (1997).

    Артикул

    Google ученый

  • Селл, Б. и др. 22FFL: высокопроизводительная технология FinFET со сверхнизким энергопотреблением для мобильных и радиочастотных приложений. В IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 29.4.1–29.4.4 (IEEE, 2017).

  • Сзе, С. М. и Нг, К. К. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, 2006).

    • Металлические банки на 8 унций | Доступны оптом и оптом

    Поиск

    Быстрый заказ

    • сравнить продукты

    Фильтр по

    Поиск по категории

    1 шт.

    Показывать

    15
    30
    45
    Все

    на страницу

    Сортировать по

    Бестселлер
    Цена
    Длина ручки
    Длина ручки
    Тип кадра
    Уменьшенная высота
    Увеличенная высота
    Длина вилки
    Ширина вилки
    Высота слива
    Емкость отстойника
    Требуется сборка
    Максимальная высота подъема
    Установить нисходящее направление

    1 шт.

    Показывать

    15
    30
    45
    Все

    на страницу

    Сортировать по

    Бестселлер
    Цена
    Длина ручки
    Длина ручки
    Тип кадра
    Уменьшенная высота
    Увеличенная высота
    Длина вилки
    Ширина вилки
    Высота слива
    Емкость отстойника
    Требуется сборка
    Максимальная высота подъема
    Установить нисходящее направление

    BASCO имеет в наличии не только стандартные металлические банки и металлические банки, такие как металлическая банка для масла на 5 галлонов или металлическая банка для краски на 1 галлон.

    Канистры доступны во многих вариантах в зависимости от ваших потребностей. «Что такое канистра?» Вы можете спросить. Это другое слово, используемое для металлических банок, за исключением того, что они имеют специальную прямоугольную форму для установки в углах. Вот наши лучшие стили:

    Металлические банки общего назначения с круглым плоским верхом: Устойчивое к растворителям защитное хранение

    • Идеально подходит для красок, герметиков, клеев и клеев
    • Цельная верхняя часть без пайки на шейке
    • Завинчивающаяся крышка с вкладышем продается отдельно

    Металлические банки с круглым конусом: контролируемый розлив для максимального выхода промышленных жидкостей

    • Идеально подходит для красок, растворителей и автомобильных жидкостей
    • Химически стойкий
    • Завинчивающаяся крышка Beta 1 1/8 дюйма с вкладышем SolvSeal® продается отдельно

    Продолговатые металлические банки F-Style: для экономии места

    • Магазин овощей и минеральных масел, спиртов, слабых кислот, разбавителей и клеев
    • Галлонные банки поставляются с ручкой для удобного наливания
    • Завинчивающаяся крышка с вкладышем продается отдельно

    Наши металлические банки с крышками столь же разнообразны, как и металлические банки, и отлично подходят для сохранения продуктов с очень низким воздействием на окружающую среду. Но они не предназначены для использования с жидкостями на водной основе и жидкостями с низкой вязкостью.

    Металлические банки BASCO с крышками:

    Плоские круглые металлические банки с крышками: для упаковки широкого спектра продуктов

    • Используется для лабораторных испытаний и образцов, паяльной пасты, асфальта, мазей и косметической упаковки
    • Верх и низ продаются отдельно

    Глубокие круглые металлические банки с крышками: металлические контейнеры большей глубины для хранения

    • Для клеев, резиновых покрытий, упаковки асфальта, нефти и химикатов
    • Верх и низ продаются отдельно

    Промышленные металлические банки с крышкой: для чернил

    • Также идеально подходят для косметики, украшений и многого другого
    • Изготовлен из высококачественной электротехнической жести
    • Состоит из верхней, нижней и приваренной части

    Нужна небольшая упаковка стеклянной посуды для личных целей, таких как консервирование? Подарки в баночке на предстоящий день рождения? проекты своими руками? Нестандартный декор для вечеринки? Познакомьтесь с Jar Store, нашей дочерней компанией, специализирующейся на недорогой стеклянной посуде.

    Вы ​​больше работаете на рынке Западного побережья? Обратитесь к нашей дочерней компании Sun West из Феникса, которая предлагает металлические банки и жестяные банки.

    Магазин по

    Очистить все


    Варианты покупок

    Вместимость

    1. 1/2 галлона 2items

    2. 1 галлон 18items

    3. 1/2 унции 1 шт.

    4. 2 унции 2 шт.

    5. 3 унции 2 шт.

    6. 4 унции 3 шт.

    7. 6 унций 1 шт.

    8. 8 унций 1 шт.

    9. 16 унций 2 шт.

    10. 32 унции 1 шт.

    11. 48 унций 1 шт.

    12. 5 литров 1шт.

    13. 1 кварт 11 шт.

    14. 1/4 пинты 2items

    15. 1/2 пинты 4 шт.

    16. 1 пинта 11items

    17. 5 фунтов 2 шт.

    18. 5 1/4 фунта 1 шт.